直流磁控濺射： 直流磁控濺射是在直流二級濺射的基礎上，在（zài）靶材後麵安防磁鋼。可以（yǐ）用來濺射沉（chén）積導電膜，而且沉積速度快；

但靶材若為絕緣體的話，將會迅速造成（chéng）靶材表麵電荷積累，從而（ér）導（dǎo）致濺射無法進行。所以對於純（chún）金（jīn）屬靶材的濺射，均采（cǎi）用直流磁控濺射，如濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。 

中頻（pín）磁控濺射， 常用來進行反應濺射，如金屬氧化物、碳化物等（děng），將少許反應性氣體N2,O2,C2H2等（děng）同惰性氣體Ar2一起輸入到真空腔中，使反應氣體與靶材原子一起於基材上沉積。

對於一些不易找到的塊材（cái）料製成靶材的鍍膜（mó）或陶瓷靶材在濺鍍後，薄膜成分易（yì）偏離原靶材成分，也可通（tōng）過反應沉積來獲得改善。