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磁控濺射技術的(de)優缺點分(fèn)析介紹

作者: 來源(yuán): 日期:2019-04-17 23:44:10 人氣:1300
        磁控濺射技術自誕(dàn)生以來,得到了較快的發展和較廣的應用,對其他鍍膜方法的發展產生(shēng)了很大的(de)影響。通過大量的實踐,91巨炮在线观看真空總結(jié)出這(zhè)種技術的(de)優缺點,如下文所示。

  優點:
  1.沉積速率高,襯底(dǐ)溫升(shēng)低,對薄膜損(sǔn)傷小;
  2.對於大多數材料,隻要能製(zhì)造出靶材,就可以實現濺射;
  3.濺射(shè)得到的薄膜與(yǔ)基底結合良好;
  4.濺射得到的薄膜純度(dù)較高,密度好,均勻性好;
  5.結(jié)果表明,濺射工(gōng)藝具有良好(hǎo)的重複性(xìng),在(zài)大麵積襯底上可獲得厚度均勻的(de)薄膜;
  6.可以準確控製塗層厚(hòu)度,通過改變參數來控製薄膜的粒徑;
  7.不(bú)同的(de)金屬、合金和氧化物(wù)可以混合(hé),同時濺射在基(jī)體上;
  8.易(yì)於工業化。


  但是磁(cí)控濺(jiàn)射也存在一(yī)些(xiē)問題
  1.該技術所(suǒ)使用的環形磁(cí)場迫使次級電子圍(wéi)繞環形磁場跳躍(yuè)。因此,由環形磁場控製的區域是等離子體密度較(jiào)高的區域(yù)。在該技術中,我們(men)可以看到(dào)濺射氣體氬在這一區域發出強烈的淡藍色光芒,形成光暈。光暈下的靶是離子轟擊比較嚴重的部分,它會濺出一個(gè)圓形的(de)溝(gōu)槽。環形磁場(chǎng)是電子運動的軌道,環形輝光和溝槽生(shēng)動地表現了這一點。靶材的濺射(shè)槽一旦穿透(tòu)靶材,整(zhěng)個靶材就會報廢,靶材利(lì)用(yòng)率(lǜ)不高,一般低於40%;
  2.等離子體不穩定;
  3.由於基本的磁通量(liàng)均不能通過磁性(xìng)靶(bǎ),所以在靶麵(miàn)附近不可能產生外加磁場。
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