物理氣相沉積介紹（shào）之真空（kōng）卷繞鍍膜技術：
        真（zhēn）空（kōng）卷繞鍍膜(卷對卷)是在（zài）真空（kōng）下應用不同方法在柔（róu）性基體上實現連續（xù）鍍膜的（de）一（yī）種技術。它涵蓋真空獲得、機電控製、高精傳動和表麵分（fèn）析等多方麵內容。其重點是，在（zài）保證鍍膜質量前提下提高卷繞速率、控製（zhì）鍍膜穩定性及實（shí）施在線監控。卷對卷技術成本低、易操作、與柔性基底相容、生產率高及可連續鍍多層膜等優點。第一台真空蒸發卷繞鍍膜機1935年製成，現可鍍幅（fú）寬（kuān）由500至2500mm。卷對卷技術應用由包裝和裝飾（shì）用膜，近年逐漸擴大至激光防偽膜、導電等功能薄膜方麵，是未來柔性電子等行業的（de）主（zhǔ）流技術之一（yī）。
        真空卷繞鍍膜係（xì）統按結構可分為單室、雙室和多室真空（kōng）卷繞係統，後兩者可解決開卷放氣問題並分別（bié）控製卷繞和鍍膜室各自真空度（dù）。卷繞張力控製分錐度、間接和直接控製模型，錐度控製模型（xíng）可解決薄膜褶皺和徑向力分布不均的問題；間接（jiē）張（zhāng）力控製無需傳感器，可用內置張力控製模塊（kuài）的矢量變頻器代替；直接張力控製（zhì）通過張力傳感器精（jīng）確測量張力值，但需慣性矩和（hé）角速度等多種參數。真空卷繞鍍膜主要有真空蒸發、磁控濺射等方式，可用於製備新型高折射率薄膜、石（shí）墨烯等納米（mǐ）材料和柔性太陽能（néng）電（diàn）池等半導（dǎo）體器件。針（zhēn）對（duì）真空卷繞鍍膜技（jì）術研究現狀及向產業化過渡存在的問題，最後作了簡要分析與展望。
        真空卷對卷設備（bèi）由抽真空、卷繞、鍍膜和電氣控製等係統組成。真空卷（juàn）繞鍍膜設備根據真空室有無擋板，可分單室、雙室和多室結構。單室的收放卷輥和鍍膜輥在同一室中，結構（gòu）簡單但開卷時放氣會（huì）汙染真空環境。雙室結構將（jiāng）係統用擋板隔成卷繞和鍍膜室，卷輥與擋板間隙約1.5mm，避免了類似開卷放氣問題。多室常用於製備複合薄膜，在雙室基礎上將（jiāng）相鄰鍍（dù）膜區用擋板隔開避免幹擾。如Krebs等將Skultuna FlexiblesAB的開（kāi）普頓擋板固定於兩磁控濺射靶間，板兩側塗覆50μm的銅層。分隔擋板與真空室壁狹縫越小越好。據鍍膜（mó）時輥筒作用分為單主輥和多主輥卷繞鍍膜機。據電機個數，則可分為兩電機、三電機和四電機驅動係統。

下一個：真空鍍膜（mó）機所以在後掩蔽和清洗（xǐ）輥速度不太快