偏壓（Bias)是指在鍍膜過程中施加在（zài）基體上的負（fù）電壓。偏壓電源的正（zhèng）極（jí）接到真空室上，同時真空室接地，偏壓的負極接到工件（jiàn）上。由於大（dà）地的電壓一般（bān）認為是零電位，所以工件上的電壓習慣說負偏壓，簡稱偏壓。

負偏壓的（de）作用
提供粒子能量；
對於基片的加熱（rè）效應（yīng）；
清除基（jī）片上吸附的氣（qì）體和油汙等，有利（lì）於提（tí）高膜層結合強度；
活化基體表麵；
對電弧離子鍍（dù）（Arc Ion Plating)中的大（dà）顆粒有淨化作用；

偏壓的分類
根據波形可分為：
直流偏壓
直流脈衝偏壓
直流疊加脈衝偏壓
雙極性脈衝偏（piān）壓

直流偏壓和脈衝（chōng）偏壓的比較

傳統的（de）電（diàn）弧離子鍍（dù）是在基片台上施（shī）加直流負偏壓控（kòng）製離子轟擊能（néng）量, 這種沉積工藝存在以下缺點:
        基體溫升高, 不利於在回火溫度（dù）低的基（jī）體上沉積硬質膜。
        高能離子轟擊造成嚴重的濺（jiàn）射, 不能簡單通過提高離子轟擊能量合成高反應閾能的硬質薄膜。
直流偏壓電弧離子鍍工藝中,為了抑製因離子對基（jī）體表麵連續轟擊（jī）而導致的（de）基體溫度過高（gāo）,主要采取減少沉積功率、縮短沉積時間、采用間歇沉積方式等措施（shī）來降低沉積溫度，這些措施可以概括地稱為能量控製法'這種方法（fǎ）雖然可以降低（dī）沉積溫度（dù）,但也使（shǐ）薄膜的某些性能（néng）下降（jiàng）,同時（shí）還降低（dī）了生（shēng）產效率和薄膜質量的穩定性，因此,難以推廣應用。
脈衝偏壓電弧離子鍍（dù）工藝中,由於（yú）離子是以非連續的脈衝方式轟擊基體表麵,所以通過調節脈（mò）衝偏壓的占空比,可改變基體內部與表麵之間的溫度梯度,進而改變基體內部與表麵之間熱的均衡補償效（xiào）果,達到調（diào）控沉積溫度的目的（de）。這樣就可以把施加偏壓的脈衝高度與工件溫度獨立分開(互（hù）不影響或影響很小)調節,利用高壓脈（mò）衝來獲得高能離子的（de）轟擊效應以改善（shàn）薄膜的組織和性能,通過降低占空（kōng）比來減小離子（zǐ）轟擊的總加（jiā）熱效應以降低沉積溫度。

偏壓對膜層的影響

偏壓對膜（mó）層的影響機製是很複雜的，下（xià）麵列（liè）出了一些主要影響，可以根據（jù）自己的使用工藝，觀察總結，就可以很快摸清偏壓對膜層的影響規律。
        膜層結構、結晶構造取向、組織結構
        沉積速率
        大顆粒淨（jìng）化（huà）
        膜層硬度
        膜層致密度
        表麵形貌
        內應（yīng）力

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