真空蒸發鍍膜是指在（zài）真（zhēn）空條件下，通過蒸發源加熱蒸發某種物質使（shǐ）其沉積在基板材料表麵來獲得薄膜（mó）的一種技術。

被蒸發的物（wù）質被稱（chēng）為蒸鍍材料。蒸發鍍膜最早由 M.法拉第在 1857年提出（chū），經過一百多年（nián）的發展，現已成為（wéi）主流鍍膜技術之一。

真空蒸（zhēng）發鍍膜係統一般由（yóu）三個部分組（zǔ）成：真空室、蒸發源或蒸（zhēng）發加熱裝置、放置基板（bǎn）及給基板加熱裝置。

在真空中為了蒸發待沉（chén）積的材料，需要容器來（lái）支（zhī）撐（chēng）或（huò）盛（shèng）裝蒸發物，同時（shí）需（xū）要提供蒸發熱使（shǐ）蒸發物達到足夠高的（de）溫度以產生所需（xū）的（de）蒸汽壓。

真空蒸發鍍膜技術具有簡單便利、操作方便、成膜速度快等特點，是應用（yòng）廣泛的（de）鍍膜（mó）技術，主要應用於光學元器件、LED、平板顯（xiǎn）示和半導體分立器的鍍膜。

真（zhēn）空鍍膜材料按照化學成分主要可以分為金（jīn）屬/非金屬顆（kē）粒蒸發料，氧化物蒸（zhēng）發料（liào），氟化物蒸發料等。