電子在電場的作用下加速（sù）飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞,電離（lí）出大量的氬離子（zǐ）和電子（zǐ）,電子飛（fēi）向基片.氬（yà）離子在電（diàn）場的作用下加（jiā）速轟擊靶材,濺射出大（dà）量的靶材原子（zǐ）,呈中性的靶原子（或分子）沉積在基（jī）片上成膜.二次電子在加速飛向（xiàng）基片的過程（chéng）中受到磁場洛侖磁力的影響,被束縛在*近靶麵的等離子體區域內,該區域內（nèi）等離子體密度很高,二次電子在磁場的作用下圍繞（rào）靶麵作圓周運動,該電子的運動路徑很長,在運動過（guò）程中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量的（de）氬離子轟擊靶材,經過多次碰撞後電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠離靶材,最終沉積在基片上（shàng）.

        磁控濺射就是以磁場束縛和延長電（diàn）子的運動路徑,改變電子的運動（dòng）方向,提高工作氣體的電離率和有（yǒu）效利用電子的能量.

       電子的歸宿不僅僅是（shì）基（jī）片,真空室（shì）內壁及（jí）靶源（yuán）陽極也是電子歸宿.但一般基片與真空室及陽極在同一電勢.磁場與電場的交互作用（E X B shift）使單個電子軌（guǐ）跡呈三（sān）維螺旋狀,而不是僅僅在靶麵圓周運動.至於靶麵圓（yuán）周型的濺射輪（lún）廓,那是靶（bǎ）源磁場磁力線呈圓周形狀形狀（zhuàng）.磁力線分布（bù）方向不（bú）同會對成膜有很大關係.

       在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射,多弧鍍靶源,離子源,等離子源等都在次原理下工作.所不同的（de）是電場方向,電壓電流大（dà）小而已.